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制作BAM12_√3-200-1W精细工艺高压并联电容器
2021-08-31 03:49
信息参数
信息详情
西安锦宏高压并联电容器
38 BAM11/√3-200-1W 11 200 5.26 1
39 BAM11/√3-300-1W 11 300 7.89 1
40 BAM11/√3-334-1W 11 334 8.79 1
41 BAM11/√3-400-1W
42 BAM12/√3-30-1W12 30 0.66 1
43 BAM12/√3-50-1W12 50 1.11 1
44 BAM12/√3-100-1W 12 100 2.21 1
45 BAM12/√3-167-1W
46 BAM12/√3-150-1W 12 150 3.32 1
47 BAM12/√3-200-1W 12 200 4.42 1
●允许在由于过电压和高次谐波造成的有效值为额定电流的1.30倍的稳态过电流下运行。对于电容具有*大正偏差的电容器，稳态过电流允许达到额定电流的1.43倍。
●电容偏差为：-5％~+10％。
●损耗角正切值tarδ(在额定电压下，20℃时)
a.采用膜纸复合介质的产品不大于0.0012。
b.采用全膜介质的产品不大于0.0005(不含内熔丝)。
c.带内熔丝的电容器损耗角正切值、在定货时协商确定。
●电容器分户内型和户外型，并有适合于湿热地区，高原地区及污秽地区等各种特殊环境用的产品。
●产品技术性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低压并联电容器》国家标准及lEC871-1(1987)要求。
38 BAM11/√3-200-1W 11 200 5.26 1
39 BAM11/√3-300-1W 11 300 7.89 1
40 BAM11/√3-334-1W 11 334 8.79 1
41 BAM11/√3-400-1W
42 BAM12/√3-30-1W12 30 0.66 1
43 BAM12/√3-50-1W12 50 1.11 1
44 BAM12/√3-100-1W 12 100 2.21 1
45 BAM12/√3-167-1W
46 BAM12/√3-150-1W 12 150 3.32 1
47 BAM12/√3-200-1W 12 200 4.42 1
●允许在由于过电压和高次谐波造成的有效值为额定电流的1.30倍的稳态过电流下运行。对于电容具有*大正偏差的电容器，稳态过电流允许达到额定电流的1.43倍。
●电容偏差为：-5％~+10％。
●损耗角正切值tarδ(在额定电压下，20℃时)
a.采用膜纸复合介质的产品不大于0.0012。
b.采用全膜介质的产品不大于0.0005(不含内熔丝)。
c.带内熔丝的电容器损耗角正切值、在定货时协商确定。
●电容器分户内型和户外型，并有适合于湿热地区，高原地区及污秽地区等各种特殊环境用的产品。
●产品技术性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低压并联电容器》国家标准及lEC871-1(1987)要求。
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