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英飞凌igbt模块BSM200GA120DN
2021-08-30 15:10
信息参数
信息详情
BSM200GA120DN2 参数
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Single
集电极—发射极*大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
栅极—射极漏泄电流200 nA
功率耗散1550 W
*大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体62MM
栅极/发射极*大电压+/- 20 V
*小工作温度- 40 C
安装风格Screw
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Single
集电极—发射极*大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
栅极—射极漏泄电流200 nA
功率耗散1550 W
*大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体62MM
栅极/发射极*大电压+/- 20 V
*小工作温度- 40 C
安装风格Screw
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